HgCdTe鈍化過程中形成的鑲嵌結構及其熱處理效應

論文類型	技術與工程	發(fā)表日期	2004-12-01
來源	半導體學報
作者	孫濤,王慶學,陳文橋,梁晉穗,陳興國,胡曉寧,李言謹
關鍵詞	HgCdTe CdTe 鈍化二維點陣
摘要	通過高分辨x射線衍射儀中的二維點陣研究了濺射的CdTe介質膜對HgCdTe外延層的影響．發(fā)現(xiàn)在高濺射能量下沉積的鈍化膜由于應力的作用，HgCdTe晶片出現(xiàn)彎曲及大量鑲嵌結構，而這種鑲嵌結構可通過合理的熱處理工藝消除．

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